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只读存储器ROM

不论ROM如何发展，其基本框架都没变，都是前级地址译码器驱动行*列的存储阵列。
发生改进的是存储整列中存储单元内部的结构和工艺。

一、掩膜ROM：

例如在存储阵列的同一行中有两个相邻的存储单元：

与这两个单元相关的包括该行连出的一根字线和两根位线，字线与位线像交叉，但并未连接：

假如地址译码器选中了这个字（行），则该字线会产生一个高电平；
由于字线和位线并未连接，所以字线的高电平并不会对位线产生影响。

但是如果在字线和位线之间连接一个二极管，则字线的高电平会对位线产出影响，位线同样会变为高电平输出1。

也就是说，如果希望掩膜ROM的一个字选通时对应位输出$1$，则字线和对应位之间接一个二极管；
如果希望输出$0$，则不需要更改；

掩膜$ROM$是专门定制的，其内部数值生产出来就已经确定了，是第一代完全符合只读不写的最基本的ROM存储器；

二、PROM：

对于$PROM$，出厂时每一个存储单元都是一模一样的连接。
以熔断丝方案为例，每一个存储单元都包含一个熔断丝和一个二极管。
这意味着$PROM$在出厂的时候, 当一个字被选中，字内部初始存储的都是1。
用户拿到之后，可以进行二次编程，可以将指定存储单元的熔断丝烧断，使得该字的对应位存储的值变为$0$。

PROM只能修改一次；

三、ROM的基本结构

对于一个完整地$ROM$，其还包含一个输出缓冲器，三个部分构成$ROM$存储器；

$n$位地址码可以指定$2^n$个字。
$m$个位线,表示每个字所包括的二进制数据的位数(字长),与地址线数量$n$的大小无关。

四、ROM的工作原理

ROM原理框图和结构框图相对应，展现了电路的具体细节；

以一个$2 * 2b$的部分存储器为例：

两位输入通过两个非门，获得$A0、\overline{A0}、A1、\overline{A1}$，再通过四个与门唯一确定选中的字（行）。
可见坐半部分的地址译码器其实就是一个与阵列，与结构框图对应；

而存储单元部分的阵列电路其实就是一个或阵列。
当选中一个字时，该字线输出是$1$，其他字线输出是$0$。通过位线和字线的连接，将输入通过一个亦或门得到字中记录的值；

该$ROM$内部存储的数据表如图示：

总结：

• 地址位数决定字的数量

• 输入地址就是字的地址

• 位线的数量就是字的字长

• 字线、位线的数量之间没有必然的决定关系

• 地址译码器是与阵列，存储阵列是或阵列

一个真实的掩膜$ROM$电路如图，与原理中的电路相对应：

$\overline{EN}$是一个控制信号（控制总线），控制对存储单元的读和写；